首頁
關(guān)于納設(shè)
公司簡介
企業(yè)文化
發(fā)展歷程
資質(zhì)與榮譽(yù)
相關(guān)專利
產(chǎn)品與技術(shù)應(yīng)用
產(chǎn)品系列
碳化硅外延設(shè)備
原子層沉積設(shè)備
科研級定制化CVD設(shè)備
開放式卷對卷石墨烯制備設(shè)備
應(yīng)用領(lǐng)域
光伏鈣鈦礦
第三代半導(dǎo)體
二維材料
新聞中心
公司動(dòng)態(tài)
行業(yè)資訊
誠聘英才
聯(lián)系我們
0755-23243345
中文版
English
科研級MOCVD設(shè)備
化學(xué)氣相沉積(CVD)設(shè)備是一種關(guān)鍵的制備工具,被廣泛應(yīng)用于材料制備和表面工程領(lǐng)域。CVD設(shè)備的工作原理是通過將氣態(tài)前體物質(zhì)在恰當(dāng)?shù)臏囟取毫头磻?yīng)條件下與基底表面反應(yīng),從而形成所需的薄膜結(jié)構(gòu),在半導(dǎo)體、光電子器件、表面涂層等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。
● 高質(zhì)量薄膜生長:能夠?qū)崿F(xiàn)對材料生長過程的精確控制 ● 高性能材料制備:可以制備出各種特定要求的功能性材料 ● 高效率生產(chǎn):能夠在相對短的時(shí)間內(nèi)完成大面積薄膜的生長 ● 廣泛應(yīng)用性:MOCVD設(shè)備廣泛應(yīng)用于LED、LD、太陽能電池等領(lǐng)域,為這些器件的制備提供了關(guān)鍵的材料基礎(chǔ)。
全國咨詢熱線:
郵箱:contact@naso-tech.com 地址:深圳市光明區(qū)鳳凰街道鳳凰社區(qū)觀光路招商局光明科技園A3C棟3樓
COPYRIGHT 2024 深圳市納設(shè)智能裝備股份有限公司
網(wǎng)站制作:中企動(dòng)力 深圳